西安易恩电气科技有限公司

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供应IGBT静态参数测试系统
供应IGBT静态参数测试系统
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供应IGBT静态参数测试系统

型号/规格:

EN-3020C

品牌/商标:

西安易恩电气

产地:

西安市高陵区

性质:

半导体测试设备原厂

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产品信息

EN-3020C IGBT静态参数测试系统1、系统概述EN—3020C测试系统(以下简称系统)是西安易恩电气科技有限公司推出的IGBT静态测试系统,该系统符合国军标GJB128-86和国家标准GB/T 4587-94测试规范。

系统适合工厂、研究所用做IGBT及其模块的筛选、检验、分析以及器件生产厂用做生产测试,是一款针对IGBT的各种静态参数而研制的智能测试系统。

系统标准功率源为3500V/200A,电流可扩展至2000A。

系统的自动化程度高,按照操作人员设定的程序自动工作,实现全自动化的智能测试,计算机记录测试结果,测试结果可转化为文本或 EXCEL 格式存储。测试方法灵活,可完美测试器件以及单个单元和多单元的模块测试。

系统采用品牌工控机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点

系统安全稳定,PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁。

EN-3020C测试系统中控制系统主要由计算机控制系统和PLC控制系统组成

计算机控制系统

计算机控制系统是该测试设备的中心控制单元,设备有一部分的工作程序、工作时序、开关的动作状态,数据采集等均由计算机完成。计算机

采用研华工业控制机,具有抗电磁干扰能力强,排风量大等特点。

计算机中,装有美国国家仪器公司生产的数据采集卡NI PCI6221卡2块,NI PCI6221是一块多功能的数据采集卡,具有三组数据端口,16/8个

模拟量输入端口,两个模拟量输出口、两个定时器计数器。

PLC控制系统

控制系统除工控机外,还采用了欧姆龙系列的PLC,PLC主要对设备的工作时序、开关动作等进行控制,并且与计算机进行通讯,完成了整个系

统的自动控制功能;PLC不仅控制开关的动作,而且对系统中主要开关的工作状态进行实时监控,并与硬件进行互锁,实现了可靠的安全控制功能。

2、测试范围EN-3020C系统是专为测试IGBT而设计。能够真实准确测试出IGBT的各种静态参数:其测试范围如下:

1)栅极-发射极漏电流测试                     VGES、IGES

2)栅极-发射极阈值电压测试                   Vge(th)

3)集电极-发射极电压测试测试                 VCES、ICES

4)集电极-发射极饱和电压测试测试             Vge(sat)、IC

5)二极管压降测试测试                        VF、IF

6)二极管反向可恢复直流电压测试          VR、IR 3、外形尺寸和电源要求

尺 寸:800×800×1800(mm)

质 量:210kg

环境温度:15~40℃

工作电压:AC220V±10%无严重谐波

电网频率:50Hz±1Hz

通信接口: USB RS232

系统功耗: 380W

4、参数/条件参数/条件      参  数  ENJ 35200 IGBTENJ 30200 IGBT   静态参数自动测试系统静态参数手动测试系统 条  件  ①栅极-发射极漏电流IGES     IGES: 0.1-10uA±3%±0.1uA     集电极电压VCE: 0V     栅 极 电 压 VGE: 20V ±3%±0.2V     ②集电极-发射极电压BVCES     集电极电压VCES: 100-3500V±5%±10V(选配)     集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA 100-3500V±5%±10V100-3000V±5%±10V栅 极 电 压 VGE: 0V     ③集电极发射极饱和电压VCESAT     VCESAT:0.1-10V     栅极电压 V G E : ±15V±2%±0.2V     集电极电流ICE: 10-200A±5%(选配)  10-200A±5%10-200A±5%④集电极-发射极截止电流ICES     集电极电流ICES: 0.1-30mA±5%±0.01mA  100-3500V±5%100-3000V±5%集电极电压VCE: 100-3500V±5%(选配)     栅 极 电 压V G E : 0V     ⑤栅极-发射极阀值电压测试VGETH     VGETH: 0.1-10V±3%±0.1V     VGE=VCE     集电极电流ICE: 30mA±3%     ⑥二极管压降测试VF     VF: 0.1-5V±3%±0.01V     栅极电压VGE: 0V     电流  I F : 10-200A±5%(选配)  10-200A±5%10-200A±5%导通电流  IC: 10-200A±5%     栅极电压VGE:±15V±0.2V